{"@context":"https://schema.org","@type":"NewsArticle","generatedAt":"2026-07-23T08:01:28.298Z","headline":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动","description":"韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电气瓶颈\"。该结构有望大幅降低接触电阻，为人工智能芯片、超低功耗半导体提供关键技术支撑。","url":"https://www.aioga.com/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/","mainEntityOfPage":"https://www.aioga.com/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/","datePublished":"2026-07-16T01:54:24.000Z","dateModified":"2026-07-16T01:54:24.000Z","inLanguage":"zh-CN","publisher":{"@type":"NewsMediaOrganization","name":"Aioga","url":"https://www.aioga.com"},"citation":["https://www.ithome.com/0/977/320.htm","https://aihot.virxact.com/items/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp"],"canonicalUrl":"https://www.aioga.com/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/","directAnswer":{"@type":"Answer","text":"Aioga 编辑摘要：韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。 Aioga 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7 月 16 日消息，韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合研究团队 7 月 13 日宣布成功开发出一种新型半导体结构， 使电流在二维材料中能够无阻碍地流动 。","这一成果突破了长期困扰芯片行业的“电气瓶颈”，有望大幅降低下一代半导体器件的接触电阻，为人工智能芯片、超低功耗半导体等领域提供关键技术支撑。","二维半导体是仅有几层原子厚度的超薄半导体 。它们被称为“梦幻半导体”，因为它们比传统硅半导体更小、耗电更少。如今的硅半导体正接近物理极限，因为电路持续微型化导致功率损失和热量产生增加。二维半导体作为克服这些限制的下一代材料备受关注，预计将应用于多种未来技术，包括人工智能半导体、智能手机、数据中心、可穿戴设备、可折叠或伸缩电子产品以及超小型医疗传感器。","在半导体中，金属电极与半导体接触处的界面会产生接触电阻，会降低性能并导致功率损失。尤其是随着半导体持续缩小，接触电阻的影响变得更加巨大，使其成为下一代半导体开发中最具挑战性的技术瓶颈之一。","该团队在单层二铅化物（PtSe₂）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，这是一种原子级二维材料。通过实现单一材料连续形成的整体结构， 团队提出了一种新结构，允许电流无阻碍地穿越边界 。","利用原子力显微镜（AFM）—— 一种利用探针测量表面和电性质至原子层面的显微镜，团队直接在纳米尺度上观察到薄膜内部的电荷传输。","团队首次确认，当电流从半金属区域流向半导体区域时，流动能够自然持续，没有出现“电气瓶颈”，如电流路径的阻塞或弯曲。","此外，团队通过对半导体区域施加电场验证了器件的工作。结果证实，电流流动可以在金属-半导体结结构中稳定控制，展示了该结构在下一代电子器件中的潜力。","该研究发表于 2026 年 7 月国际材料科学期刊《Matter》杂志上。","https://doi.org/10.1016/j.matt.2026.102873 ：https://doi.org/10.1016/j.matt.2026.102873"],"articleImages":[{"sourceUrl":"https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2026/7/3623edb3-55ff-43df-a7a2-1316f37351f6.png?x-bce-process=image/format,f_auto","alt":"","afterParagraph":1,"url":"/media/articles/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/b982196e6e16f51d.webp"},{"sourceUrl":"https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2026/7/14fc45b6-7c7a-46b3-af07-ee6057d5730c.png?x-bce-process=image/format,f_auto","alt":"","afterParagraph":7,"url":"/media/articles/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/3887e3ef78597931.webp"}],"mediaStatus":"ok","articleBodyZh":[],"translationStatus":"","bodyOrigin":"source-page","editorial":{"summary":"Aioga 编辑摘要：韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。 Aioga 将其归入「论文研究」方向，重点关注它对真实使用和行业竞争的影响。","background":"背景分析：模型与研究类动态需要结合能力边界、开放方式、成本、可用性和真实任务表现判断，单项指标领先不等于已经形成稳定采用。","viewpoint":"Aioga 判断：这条动态更适合作为行业观察信号，当前信息足以建立线索，但不足以推导长期结论。","implications":"影响分析：对相关团队而言，短期应先核对来源、可用范围和实际成本，再判断是否值得接入或跟进。","nextStep":"后续观察：继续观察官方文档、实际可用性、价格变化、开发者反馈和竞品回应。","evidenceRefs":["title","summary","articleBody"],"confidence":"medium","status":"published","aiGenerated":false,"autoApproved":true,"generatedBy":"rule-safe-fallback","generatedAt":"2026-07-23T08:10:16.888Z","sourceHash":"5e5bca889b6113ae","validation":{"passed":true,"mode":"rule-safe-fallback","checks":["schema","length","source-attribution","no-html"]}},"tags":["论文研究","IT之家（RSS）"],"translations":{"zh-CN":{"title":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动","summary":"韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电气瓶颈\"。该结构有望大幅降低接触电阻，为人工智能芯片、超低功耗半导体提供关键技术支撑。","category":"论文研究","source":"IT之家（RSS）","aggregationSource":"IT之家（RSS）","pageTitle":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动 - Aioga 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韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未","url":"https://www.aioga.com/en/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/"},"ja":{"title":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动","summary":"Aiogaは「論文研究」の動きとして、IT之家（RSS） からの更新を追跡しています。韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电气瓶颈\"。该结构有望大幅降低接触电阻，为人工智能芯片、超低功耗半导体提供关键技术支撑。","category":"論文研究","source":"IT之家（RSS）","aggregationSource":"IT之家（RSS）","pageTitle":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动 - Aioga AIニュース","description":"Aiogaは「論文研究」の動きとして、IT之家（RSS） からの更新を追跡しています。韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电气瓶颈\"。该结构有","url":"https://www.aioga.com/ja/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/"},"ko":{"title":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动","summary":"Aioga는 IT之家（RSS）의 업데이트를 연구 흐름으로 추적합니다. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电气瓶颈\"。该结构有望大幅降低接触电阻，为人工智能芯片、超低功耗半导体提供关键技术支撑。","category":"연구","source":"IT之家（RSS）","aggregationSource":"IT之家（RSS）","pageTitle":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动 - Aioga AI 뉴스","description":"Aioga는 IT之家（RSS）의 업데이트를 연구 흐름으로 추적합니다. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电气瓶颈\"。该结构有望大幅降","url":"https://www.aioga.com/ko/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/"},"es":{"title":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动","summary":"Aioga sigue esta actualización de IT之家（RSS） dentro de Investigación. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电气瓶颈\"。该结构有望大幅降低接触电阻，为人工智能芯片、超低功耗半导体提供关键技术支撑。","category":"Investigación","source":"IT之家（RSS）","aggregationSource":"IT之家（RSS）","pageTitle":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动 - Aioga 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韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认","url":"https://www.aioga.com/fr/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/"},"de":{"title":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动","summary":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电气瓶颈\"。该结构有望大幅降低接触电阻，为人工智能芯片、超低功耗半导体提供关键技术支撑。","category":"论文研究","source":"IT之家（RSS）","aggregationSource":"IT之家（RSS）","pageTitle":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动 - Aioga KI-News","description":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电","url":"https://www.aioga.com/de/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/"},"pt-BR":{"title":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动","summary":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 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AI-nieuws","description":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电","url":"https://www.aioga.com/nl/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/"},"tr":{"title":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动","summary":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电气瓶颈\"。该结构有望大幅降低接触电阻，为人工智能芯片、超低功耗半导体提供关键技术支撑。","category":"论文研究","source":"IT之家（RSS）","aggregationSource":"IT之家（RSS）","pageTitle":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动 - Aioga AI Haberleri","description":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电","url":"https://www.aioga.com/tr/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/"},"vi":{"title":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动","summary":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电气瓶颈\"。该结构有望大幅降低接触电阻，为人工智能芯片、超低功耗半导体提供关键技术支撑。","category":"论文研究","source":"IT之家（RSS）","aggregationSource":"IT之家（RSS）","pageTitle":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动 - Tin tức AI Aioga","description":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电","url":"https://www.aioga.com/vi/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/"},"id":{"title":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动","summary":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 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Aioga","description":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电","url":"https://www.aioga.com/th/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/"},"pl":{"title":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动","summary":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电气瓶颈\"。该结构有望大幅降低接触电阻，为人工智能芯片、超低功耗半导体提供关键技术支撑。","category":"论文研究","source":"IT之家（RSS）","aggregationSource":"IT之家（RSS）","pageTitle":"韩国团队开发新型半导体结构，实现二维材料中电流无阻碍流动 - Aioga Wiadomości AI","description":"Aioga tracks this update from IT之家（RSS） under 论文研究. 韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合团队在单层二铅化物（PtSe2）薄膜内连续实现半金属区和半导体区，使电流在二维材料中无阻碍穿越边界。团队利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，并首次确认电流从半金属区流向半导体区时未出现\"电","url":"https://www.aioga.com/pl/news/cmrmwnj0502l1bijej8rkjztp/"}}}}