Auf der FMS 2026 stellte Neo Semiconductor sein Dual-Transistor-(2T) SRAM-Design X-SRAM vor, das behauptet, die fünffache On-Chip-Cache-Kapazität bestehend...
Auf der FMS 2026 stellte Neo Semiconductor sein Dual-Transistor-(2T) SRAM-Design X-SRAM vor, das
behauptet, die fünffache On-Chip-Cache-Kapazität bestehender Lösungen zu erreichen und die On-Chip-SRAM-Kapazität auf GB-Ebene zu erhöhen. Das Design umfasst vier Zellstrukturen, wobei die Typ-B-Lösung direkt mit dem bestehenden GAA-Nanosheet-Logikprozess kompatibel ist. Das Unternehmen plant außerdem eine gestapelte 3D-X-SRAM, die voraussichtlich die 20~40-fache der SRAM-Kapazität bestehender Designs erreichen soll.
IT之家：https://www.ithome.com/ 8 月 5 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 Neo Semiconductor 在 FMS 2026 上公布了其双晶体管 (2T) SRAM 设计 X-SRAM， 宣称可实现现有方案 5 倍的片上缓存容量 。
IT之家了解到，目前的商业化主流 SRAM 由 6 个晶体管构成，这限制了片上缓存的扩展，而 大 容量高速 SRAM 缓存非常适合推理解码等人工智能工作负载 。Neo Semiconductor 称其 可将片上 SRAM 容量提升到 GB 级别 。
Neo Semiconductor 展示了 4 种不同的 X-SRAM 单元结构： Type B 方案与现有 GAA Nanosheet 尖端逻辑制程直接兼容 ；Type A / C / D 则各有侧重，需要工艺配合调整。
该企业还 展望了堆叠式的 3D X-SRAM ，有望实现 20~40 倍于现有设计的 SRAM 容量。
Aioga 编辑摘要：Neo Semiconductor 在 FMS 2026 上公布双晶体管 （2T） SRAM 设计 X-SRAM，宣称可实现现有方案 5 倍的片上缓存容量，并将片上 SRAM 容量提升到 GB 级别。 Aioga 将其归入「产品更新」方向，重点关注它对真实使用和行业竞争的影响。
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