Samsung Electronics confirmó planes de aplicar obleas base de 2 nm en la generación HBM5, cuyo ritmo de funcionamiento se espera supere en más del 50% al d...
Samsung Electronics confirmó planes de aplicar obleas base de 2 nm en la generación HBM5, cuyo ritmo
de funcionamiento se espera supere en más del 50% al de HBM4E. Esta pila de memoria adopta el proceso de 2 nm con el objetivo de lograr mejoras significativas en rendimiento y eficiencia energética, y las obleas base admitirán un mayor número de vías de silicio (TSV). Anteriormente, los HBM4 y HBM4E de Samsung contaban con obleas base de 4 nm, y el HBM4E logró una velocidad de funcionamiento de más de 14 Gbps mediante dispositivos de alta densidad.
IT之家：https://www.ithome.com/ 7 月 27 日消息，根据三星半导体官方今日发布的人物访谈，三星电子晶圆代工业务技术开发负责人구자흠进一步确认， 三星计划在 HBM5 世代应用 2nm 的基础裸片 。三星电子存储器业务开发副总裁 황상준 今年 3 月也进行了类似表态：https://www.ithome.com/0/930/083.htm。
구자흠提到， HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上 ，其基础裸片将支持更高密度的硅通孔 (TSV) 以满足行业需求。该内存堆栈选择 2nm 作为基础裸片工艺 旨在于性能和能效两方面实现重大改进 。
三星电子的 HBM4 和 HBM4E 上均配备 4nm 基础裸片，但这两个版本的基础裸片有所区别。三星电子发挥了其 4nm 节点的灵活性优势， 在 HBM4E 基础裸片上应用了高密度、超高性能器件 ，实现了 14+ Gbps 高速运行，而 金属层的更有效排列 则在降低功耗的同时优化散热路径。
Aioga 编辑摘要：三星电子确认计划在 HBM5 世代应用 2nm 基础裸片，其运行速率预计较 HBM4E 提升 50% 以上。 Aioga 将其归入「行业动态」方向，重点关注它对真实使用和行业竞争的影响。
背景分析：公司与行业类动态需要放在竞争格局、商业化路径、资本信号和监管环境中观察，单条公告不能代表最终结果。
Aioga 判断：这条动态更适合作为行业观察信号，当前信息足以建立线索，但不足以推导长期结论。
影响分析：对相关团队而言，短期应先核对来源、可用范围和实际成本，再判断是否值得接入或跟进。 后续观察：继续观察官方文件、合作落地、收入或用户信号、竞品动作和监管后续。
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