Menurut laporan DigiTime pada 2 September, Micron sedang meneliti modul flash ND dengan daya tahan tinggi, berencana menerapkannya lebih dekat ke GPU, yang...
Menurut laporan DigiTime pada 2 September, Micron sedang meneliti modul flash ND dengan daya tahan
tinggi, berencana menerapkannya lebih dekat ke GPU, yang saat ini disebut sebagai "near-GPU NAND." Solusi ini memungkinkan GPU mengakses langsung ratusan GB pool penyimpanan NAND, menempatkannya di dalam paket GPU atau di PCB, yang beroperasi mirip dengan HBM dan GDDR7; Dibandingkan dengan TLC atau QLC NAND tradisional, kepadatannya lebih rendah, fokus pada peningkatan kecepatan I/O dan bandwidth.
IT之家：https://www.ithome.com/ 9 月 2 日消息，据 DigiTimes 今天报道，美光正在研究高耐久性 NAND 闪存模块，该公司计划将其部署在距离 GPU 更近的位置，而不是像传统存储方案那样，通过多个协议连接到距 GPU 较远的存储池。
据报道，美光正在探索如何将 NAND 闪存进一步靠近 GPU，希望在存储密度和耐久性之间提供一种折中方案。这种产品当前被称为“近 GPU NAND”（IT之家注：near-GPU NAND），可用于处理非低延迟 / 高带宽工作负载。
这种方案可以让 GPU 直接访问数百 GB 的 NAND 存储池， 它可以直接放置在 GPU 封装内部或 PCB ，工作方式类似 HBM、GDDR7 等方案。与传统 TLC 或 QLC NAND 相比， 这种 NAND 芯片的存储密度更低 ，重点在于提升 I/O 速度、带宽。
该存储层位于显存和普通存储之间，可充当高速缓冲层，因此特别适合运行更大规模的 AI 大语言模型。该方案落地后，LLM 推理将不再受到显存容量限制。
据 DigiTimes 9 月 2 日报道，美光正在研究高耐久性 NAND 闪存模块，计划将其部署在更靠近 GPU 的位置，当前称为“近 GPU NAND”。该方案可让 GPU 直接访问数百 GB 的 NAND 存储池。
报道显示，近 GPU NAND 可放置在 GPU 封装内部或 PCB，工作方式类似 HBM、GDDR7。相较传统 TLC 或 QLC NAND，其存储密度更低，重点是提升 I/O 速度与带宽，并位于显存和普通存储之间。
Aioga 判断：这项探索的核心是调整 NAND 的部署位置与产品取舍，通过较低存储密度换取更高 I/O 速度和带宽。材料明确支持其面向非低延迟、高带宽工作负载，但尚不足以证明产品已经落地。
可能影响：若方案后续落地，可能为显存与普通存储之间增加一层存储选择，并可能服务于更大规模 AI 大语言模型运行；但材料未说明具体性能、成本、上市时间或实际部署效果，不代表显存限制已经消失。 后续观察：应关注美光是否公布近 GPU NAND 的产品规格、耐久性指标、接口与部署方式，以及其是否进入实际系统验证。还需要区分研究方案、样品和正式产品，不能仅凭当前报道确认商业化进展。
当前抓取源提供的是标题、摘要、来源和原文入口，不直接搬运完整原文。完整报道请通过下方原文链接前往来源站点查看。
抓取通道: RSS · 原始域名: ithome.com
Sumber: IT之家（RSS）
原文链接: Buka sumber asli
Aioga 归档: 查看情报页
Content record: source-page · Updated: 2026-09-02T13:44:52.000Z
统一接入主流 AI 模型 API，为开发、测试与生产环境提供稳定调用入口。
立即访问 api.w173.com
Scan to open this articleAioga 自动聚合全球 AI 动态，并保留来源信息用于核验与引用。