Samsung Electronics, HBM5 neslinde 2nm temel çip uygulamayı planladığını doğruladı ve çalışma hızının HBM4E'ye göre %50'den fazla artması bekleniyor. Bu be...
Samsung Electronics, HBM5 neslinde 2nm temel çip uygulamayı planladığını doğruladı ve çalışma
hızının HBM4E'ye göre %50'den fazla artması bekleniyor. Bu bellek yığını, performans ve enerji verimliliğinde önemli iyileştirmeler sağlamak amacıyla 2nm teknolojisini seçti ve temel çip, daha yüksek yoğunlukta silikon delikli bağlantıları (TSV) destekleyecek. Daha önce Samsung'un HBM4 ve HBM4E'si 4nm temel çip ile donatılmıştı ve HBM4E yüksek yoğunluklu aygıtlar sayesinde 14+ Gbps yüksek hızlı çalışmayı başardı.
IT之家：https://www.ithome.com/ 7 月 27 日消息，根据三星半导体官方今日发布的人物访谈，三星电子晶圆代工业务技术开发负责人구자흠进一步确认， 三星计划在 HBM5 世代应用 2nm 的基础裸片 。三星电子存储器业务开发副总裁 황상준 今年 3 月也进行了类似表态：https://www.ithome.com/0/930/083.htm。
구자흠提到， HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上 ，其基础裸片将支持更高密度的硅通孔 (TSV) 以满足行业需求。该内存堆栈选择 2nm 作为基础裸片工艺 旨在于性能和能效两方面实现重大改进 。
三星电子的 HBM4 和 HBM4E 上均配备 4nm 基础裸片，但这两个版本的基础裸片有所区别。三星电子发挥了其 4nm 节点的灵活性优势， 在 HBM4E 基础裸片上应用了高密度、超高性能器件 ，实现了 14+ Gbps 高速运行，而 金属层的更有效排列 则在降低功耗的同时优化散热路径。
Aioga 编辑摘要：三星电子确认计划在 HBM5 世代应用 2nm 基础裸片，其运行速率预计较 HBM4E 提升 50% 以上。 Aioga 将其归入「行业动态」方向，重点关注它对真实使用和行业竞争的影响。
背景分析：公司与行业类动态需要放在竞争格局、商业化路径、资本信号和监管环境中观察，单条公告不能代表最终结果。
Aioga 判断：这条动态更适合作为行业观察信号，当前信息足以建立线索，但不足以推导长期结论。
影响分析：对相关团队而言，短期应先核对来源、可用范围和实际成本，再判断是否值得接入或跟进。 后续观察：继续观察官方文件、合作落地、收入或用户信号、竞品动作和监管后续。
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